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半导体压敏电阻式进气压力传感器结构与原理

作者:admin发布时间:2022-06-21分类:汽车维修浏览:24评论:0


导读:1)半导体压敏电阻式进气压力传感器的结构。       ...

1)半导体压敏电阻式进气压力传感器的结构。

        半导体压敏电阻式进气压力传感器是利用半导体的压阻效应制成的,主要由硅膜片、真空室、硅杯、底座、真空管和引线电极组成,其内部结构如图4-8所示。

图4-8  半导体压敏电阻式进气压力传感器结构

图4-8  半导体压敏电阻式进气压力传感器结构 


2)半导体压敏电阻式进气压力传感器的工作原理。

        半导体压敏电阻式进气压力传感器的工作原理如图4-9所示,硅膜片一面通过真空室,一面承受来自进气歧管中气体的压力,在此气体压力的作用下,硅膜片会产生变形,且压力越大形变越大,膜片上应变电阻的阻值在此压应力的作用下就会发生变化,使传感器上以惠斯顿电桥方式连接的硅膜片应变电阻的平衡被打破,当电桥的输入端输入一定的电压或电流时,在电桥的输出端便可得到相应变化的信号电压或信号电流,因为此信号比较微弱,故采用了混合集成电路进行放大后输入给ECU。

        因为压阻效应式歧管压力传感器的功能部件是硅膜片和应变电阻,其工作参数取决于作用于膜片上的压力的大小,因此传感器的取样压力应从压力波动较小的部位选取。如桑塔纳2000系列轿车的进气压力都从稳压箱处选取,可以避免压力波动对检测信号的影响。

图4-9 半导体压敏电阻式进气压力传感器的工作原

图4-9 半导体压敏电阻式进气压力传感器的工作原


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